SKT와 하이닉스

SKT(SK텔레콤)과 Hhynix(하이닉스)

 

 

SK텔레콤(대표이사 사장 하성민)은 하이닉스반도체 채권단 및 하이닉스반도체와 지분인수계약을 맺고, 조인식을 가졌다.

1. SK텔레콤(SKT) 연혁

 

2012.02.14  최대주주 SK텔레콤으로 변경 및 최태원 대표이사 회장 선임 

 

2011.11.14  hynix 지분인수계약체결2011.11.11  hynix 인수 우선협상자로 선정 (3조4267억원 제시) 2011.11.10  hynix 인수 예비실사와 본입찰 참여2011.07.08  hynix 인수의향서(LOI) 제출

 

2010  매출 12조 첫 돌파

 

2009  하나카드 지분 49% 취득 의결

 

2008  `모바일머니벤쳐스`, 홍콩서 모바일 금융 서비스 런칭
2008  <ARC어워드> 4년 연속 수상
2008  SK텔레콤, 2008 베이징올림픽 대한올림픽위원회(KOC) 공식 후원

 

2007  오픈마켓 `11번가` 론칭

2007  하나로텔 조건부 인수 계약
2007  中 차이나유니콤 2대 주주 지위 확보

 

2006 『Global MOMU 2006』 웹어워드 코리아 2006 최고 대상 수상
2006  중국 정부와 중국 3G통신기술 협력 MOU 체결

 

2005  서울음반과 신인가수 지원프로그램 (MelOn Rookie) 시행
2005  사상 첫 매출 10조 돌파
2005  SK텔레콤&넥슨, 게임사업 MOU 체결
2005  팬택앤큐리텔과 글로벌 비즈니스 전략적 제휴

 

2004  안철수연구소와 함께 세계 최초 WIPI 휴대폰용 백신 개발 성공
2004  미국 SkyCross사에 100만불 투자
2004  캐나다 노텔 네트웍스社와 무선인터넷 공동 마케팅 MOU 체결
2004  세계최초 DMB용 위성 발사 성공
2004  차이나유니콤과의 합자기업 설립인가 획득
2004  세계 최초의 DMB용 위성 `한별(아래아한)` 제작 완료

 

2003  모바일 표준 플랫폼 위피(WIPI) 상용화 발표

2003  SK IMT와 합병

2003  차이나유니콤과 중국 최초 통신서비스 합자기업 설립 계약 체결

 

2002  SK커뮤니케이션즈(주) 출범

2002  모바일 멀티미디어 서비스 `준(June)` 출시
2002  차세대 동영상 압축기술 H.26L 개발

 

2001  세계 최초 IMT-2000 시범서비스 개시
2001  `MONETA 카드` 발급
2011  미국 퀄컴社와 1,000만 불 JointVentureFund 설립
2001  CDMA 개발그룹으로부터 `International Leadership`상 수상
2001  미국 HP社와 1,000만불 JointVentureFund 설립
2001  무선인터넷용 자바 플랫폼(SK-VM) 개발

2001  SK IMT㈜ 법인 설립 

2001  인테크 Telecom에 무선호출사업 양도

 

 

2. hynix 연혁

 

2012.02  최대주주 SK텔레콤으로 변경 및 최태원 대표이사 회장 취임            하성민 SK텔레콤 사장, 이사회 의장 취임2011.11  채권단은 SK텔레콤과 hynix 지분인수계약체결2011.11  채권단은 hynix 인수 우선협상자로 SK텔레콤 선정 (3조4267억원 제시) 2011.06  주식관리협의회(이후 채권단)는 hynix 매각 공고

2011.05  미국 램버스 상대 특허 항소심에서 승소

2011.04  30나노급 2Gb 차세대 DDR4 D램 개발

2011.03  TSV 기술로 세계 최대용량 D램 개발

 

2010.12  세계 최초 30나노급 4Gb D램 개발

2010.09  미국 휴렛팩커드사와 Re램 공동개발 계약 체결

2010.06  중국 후공정 합작공장 하이테크반도체 유한공사 준동

2010.02  낸드플래시 20나노급 64Gb 칩 개발 성공

 

2009.12  세계최초 40나노급 2Gb 그래픽 DDR5 개발

2009.09  단독 인수의향서(LOI)를 냈던 효성그룹이 중도 포기

2009.08  세계최초 4Gb 모바일 D램 인텔 인증 획득

2009.02  세계최초 44나노 DDR3 D램 개발

 

2008.12  세계 최초 8단 적층 낸드플래시 개발

2008.11  세계 최고속 1Gb 그래픽스 D램 개발

2008.04  세계 최고속 모바일 LPDDR2 개발

2008.02  미국 메타램사와 2-Rank 기반 고성능 서버용 8GB DDR2 메모리 모듈 개발

 

2007.11  세계 최초 1Gb GDDR5 개발

2007.03  샌디스크사, 도시바사와 특허 상호 라이선스 및 공급 계약 체결

 

2006.12  세계 최초 60나노급 최고속 DDR2 모듈 개발, 세계 최고속 200MHz 512Mb 모바일 D램 개발

2006.01  차세대 퓨전 메모리 DOC H3를 M-Systems사와 공동개발 합의  

 

2005.12  세계 최고속, 최대 용량 그래픽 메모리 512Mb GDDR4 D램 개발

 

2004.10  시스템세미컨덕터 유한회사에 비메모리 사업부문 영업양도 완료 (2004.06 계약)

 

2003.08  1Gb DDR2 개발 성공

 

2002.11  자회사 하이디스(TFT-LCD) 매각 완료2002.04  메모리 사업부를 미국 마이크론사에 매각하려 했으나  이사회 반대로 실패

2002.03  1Gb DDR D 램 모듈 출시

2002.01 <현대시스콤> 지분 양도 계약 체결

 

2001.12  세계 최고속 그래픽용 128Mb DDR SD램 출시

2001.09  6억5천만불에 TFT-LCD 자산 매각

2001.08  현대그룹에서 계열분리 확정

2001.07  통신시스템사업부를 현대시스콤으로 분사

2001.03  (주)하이닉스반도체로 사명 변경

2001.01  초고속 512Mb DDR SD램 개발

 

2000.07  LG전자와 반도체분야 전략적 제휴

 

1999.10  (주)현대반도체 흡수합병

1999.07  LG반도체 대주주 지분 인수

1999.05  LG전자와 LG반도체 주식 양수양도 계약 체결

 

1998.09  64Mb DDR SD 램 개발

 

1996.12  기업공개 및 상장

1996.01  HDD 제조사인 미국 맥스터(MAXTOR)사를 인수

 

1995.12  국내 10대 제조업체 진입

 

1994.03  GLOBALSTAR(인공위성사업) 참여

 

1993.07  16Mb D램 시험생산 돌입(FAB IV)

 

1992.09  반도체 64Mb D램 개발

 

1991.03  반도체 16Mb D램 개발

 

1990.01  1Mb D램 생산 개시

 

1989.09  4Mb D램 개발

 

1988.01  1Mb D램 개발 완료

 

1987.10  256Kb D램 수출 개시

1987.07  미국 MOS ELECTRONIC사와 256Kb S램 기술제휴

 

1986.09  국책과제 4Mb D램 공동개발

1986.04  반도체연구소 설립

 

1985.10  256Kb D램 양산체제 돌입

1985.05  64Kb D램 양산개시

1985.04  반도체조립 시험생산 개시

 

1984.12  16Kb S램 시험생산 성공

1984.08  반도체조립공자 준공

 

1983.10  이천 공장 착공

1983.05  미국 IBM사와 PC 판매대리점 계약 체결

1983.03  미국현지법인 HEA 설립

1983.02  현대전자산업주식회사 창립

 

<이상>

 

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